文章摘要
丁文辉,禄熠行,熊诗诗,等.迷走神经电刺激改善记忆功能的神经机制研究进展[J].中华物理医学与康复杂志,2026,48(9):851-855
迷走神经电刺激改善记忆功能的神经机制研究进展
  
DOI:10.3760/cma.j.cn421666-20251107-00991
中文关键词: 迷走神经电刺激  记忆功能  认知障碍  神经可塑性
英文关键词: 
基金项目:国家自然科学基金项目(82441050);西京医院医务人员助推项目(XJZT25JS08)
作者单位
丁文辉 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
禄熠行 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
熊诗诗 空军军医大学西京医院皮肤科,西安 710032 
赵锟 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
李冬锦 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
侯瑞彬 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
王凯 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
孙晓龙 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
袁华 空军军医大学西京医院康复医学科,西安 710032 
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中文摘要:
  迷走神经电刺激(VNS)作为一种新兴的神经调控技术,近年来在认知障碍治疗领域取得了显著进展。相关临床研究表明,VNS可显著改善轻度认知障碍患者的记忆功能,且疗效与刺激参数呈现明确的剂量-效应关系。本综述系统分析了VNS改善记忆功能的多层级机制,包括激活蓝斑-基底前脑神经环路、增强海马可塑性、通过促进血管供能-胶质代谢协同作用维持微环境稳态等。此外,本文还进一步探讨了VNS对健康人群记忆增强及患者群体记忆修复的差异化作用,并讨论了构建个体化精准治疗体系所面临的临床转化机遇与挑战。
英文摘要:
    
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